RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 6, страницы 588–590 (Mi qe135)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Применение лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Датчики мощности на основе третичного пироэлектрического эффекта, совмещенные с выходными окнами СО- и СО$_2$-лазеров

В. Ф. Косоротовab, Л. В. Левашab, Л. В. Щедринаab, Ю. А. Загоруйкоab, В. К. Комарьab, О. А. Федоренкоab

a Институт монокристаллов АН Украины, г. Харьков
b Институт физики АН Украины, г. Киев

Аннотация: Теоретически исследована возможность проявления третичного пироэффекта в кубических кристаллах класса $\bar43m$ при неоднородном нагреве. Обнаруженный пироэффект позволил создать на основе монокристаллов ZnSe датчики мощности проходного типа, совмещенные с выходными окнами импульсных СО- и СО$_2$-лазеров.

PACS: 77.70.+a, 42.55.Lt

Поступила в редакцию: 10.12.1993


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1994, 24:6, 543–545

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024