Исследование гелиевого лазера при накачке импульсным электронным пучком, генерируемым в открытом разряде

Проведено моделирование и экспериментальное исследование лазера на самоограниченном переходе гелия 2¹P₁⁰ — 2¹S₀ при накачке импульсным электронным пучком, генерируемым в открытом разряде. Генерация лазерного излучения без уменьшения энергии в импульсе в трубке диаметром 31 мм наблюдалась вплоть до частоты следования импульсов накачки 10 кГц, определяемой параметрами источника питания. Выполнены расчеты динамики электрического поля в ускорительном зазоре и населенностей рабочих уровней гелия. Мощность излучения, вычисленная в соответствии с ее радиальным распределением, измеренным в режиме насыщенного усиления, в 7.85 раза больше, чем в режиме генерации. Достигнут практический КПД лазера 0.056% при квантовом КПД 0.7%.