RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2007, том 37, номер 11, страницы 1001–1005 (Mi qe13542)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Влияние фемтосекундных импульсов сверхизлучения на спектры спонтанного излучения в гетероструктурах GaAs/AlGaAs

П. П. Васильевa, Х. Канb, Т. Хирумаb

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Central Research Laboratory, Hamamatsu Photonics K.K., Japan

Аннотация: Проведено экспериментальное исследование спектров спонтанного излучения, сопровождающего генерацию фемтосекундных импульсов сверхизлучения в гетероструктурах GaAs/AlGaAs. Продемонстрировано в явном виде, что спектры спонтанного излучения электронно-дырочных пар, оставшихся в полупроводнике после формирования когерентного коллективного электронно-дырочного состояния, соответствуют сильному перегреву носителей заряда. Наблюдаемое явление может быть объяснено в рамках обнаруженного ранее эффекта динамического охлаждения и неравновесной конденсации коллективно спаренных носителей на дно зон в процессе сверхизлучения.

PACS: 71.35.Lk, 42.50.Fx, 42.55.Px

Поступила в редакцию: 19.02.2007


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2007, 37:11, 1001–1005

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024