RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 3, страницы 251–257 (Mi qe13555)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество

Индивидуальные полосы наведенного поглощения в MgF2

А. П. Сергеев, П. Б. Сергеев

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Изучены спектры поглощения образцов MgF2, облученных электронным пучком и лазерным излучением с λ = 248, 308 и 372 нм. В этих спектрах выделено 14 индивидуальных полос поглощения. Параметры восьми из них получены впервые. Проведена привязка выделенных полос к собственным дефектам кристалла MgF2.

PACS: 61.72.-y, 61.80.Ba, 61.80.Fe

Поступила в редакцию: 02.03.2007
Исправленный вариант: 24.04.2007


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2008, 38:3, 251–257

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024