RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2007, том 37, номер 11, страницы 996–1000 (Mi qe13556)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Лазеры

Мощный многомодовый суперлюминесцентный диод с длиной волны излучения 840 нм

Е. В. Андрееваa, Д. В. Батракb, А. П. Богатовb, П. И. Лапинa, В. В. Прохоровa, С. Д. Якубовичc

a ООО "Суперлюминесцентные диоды", г. Москва
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
c Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)

Аннотация: Исследованы суперлюминесцентные диоды на основе однослойной квантоворазмерной (GaAl)As-гетероструктуры с шириной гребневидного активного канала 25 мкм. При умеренных плотностях тока инжекции и лучевой нагрузке на выходные грани получена непрерывная выходная мощность более 200 мВт. Коэффициент ввода выходного излучения в стандартный многомодовый волоконный световод составил 75%.

PACS: 42.55.Px, 85.60.Jb

Поступила в редакцию: 05.03.2007


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2007, 37:11, 996–1000

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024