RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2007, том 37, номер 8, страницы 753–759 (Mi qe13610)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Активные среды. Лазеры

Твердотельные неодимовые лазеры на кристаллах кальций-галлий-германиевого граната Ca3Ga2Ge3O12:Nd3+ с диодной накачкой

М. И. Беловоловa, С. И. Державинb, Д. А. Машковскийb, К. С. Сальниковa, Н. Н. Сысоевc, М. И. Тимошечкинd, А. Ф. Шаталовa

a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
c Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
d Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Исследованы спектрально-люминесцентные и лазерные характеристики кристаллов кальций-галлий-германиевого граната Ca3Ga2Ge3O12:Nd3+ (CGGG:Nd) и проведено их сравнение с соответствующими характеристиками кристаллов YAG:Nd. Изучена непрерывная пространственно одномодовая генерация на этих кристаллах на длине волны λ = 1.064 мкм в схеме с продольной диодной накачкой через оптическое волокно, и показано, что при одинаковых по геометрии схемах накачки Nd:CGGG-лазер близок по мощности генерации к Nd:YAG-лазеру. Определенo эффективноe сечениe индуцированных переходов σ, оно составило 1.4 × 10-19 см2 для кристаллов CGGG:Nd. Обнаружено, что спектр линии генерации Nd:CGGG-лазерa на λ≈1.064 мкм является неоднородно уширенным и имеет тонкую структуру из четырех отчетливых пиков, подтверждающих спектроскопические данные о существовании четырех основных типов активаторных центров ионов Nd3+ в кристаллах Ca3Ga2Ge3O12. В конструкции компактного твердотельного лазера при толщине активного элемента 1 мм в непрерывном режиме генерации получена выходная мощность 700 мВт при поглощенной мощности накачки 2.7 Вт. Показано, что основными механизмами, ограничивающими выходную мощность твердотельного лазера на основе кристалла CGGG:Nd, являются термические искажения активного элемента.

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 27.04.2007
Исправленный вариант: 15.06.2007


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2007, 37:8, 753–759

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024