А. А. Каминский, Г. Й. Эйхлер, К. Уеда, Й. Фернандес, Ю. Финдайзен, Р. Бальда, “Пикосекундное ВКР высокого порядка в лазерныx кристаллах-матрицах Gd3Ga5O12, Gd3Sc2Ga3O12 и Ca3(Nb,Ga)2Ga3O12 при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 25:11 (1998), 965

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Письма в редакцию

Пикосекундное ВКР высокого порядка в лазерныx кристаллах-матрицах Gd₃Ga₅O₁₂, Gd₃Sc₂Ga₃O₁₂ и Ca₃(Nb,Ga)₂Ga₃O₁₂ при комнатной температуре

А. А. Каминский^a, Г. Й. Эйхлер^b, К. Уеда^c, Й. Фернандес^d, Ю. Финдайзен^b, Р. Бальда^d

^a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
^b Institut für Optik und Atomare Physik, Technische Universität Berlin, Germany
^c Institute for Laser Science, University of Electro-communications, Tokio, Japan
^d University of the Basque Country, Bilbao, Spain

Аннотация: Впервые получена генерация на стоксовых и антистоксовых линиях высокого порядка в видимом и ближнем ИК диапазонах в лазерах на кубических кристаллических матрицах Gd₃Ga₅O₁₂, Gd₃Sc₂Ga₃O₁₂ и Ca₃(Nb,Ga)₂Ga₃O₁₂. Все компоненты вынужденного комбинационного излучения лазера идентифицированы как ВКР-активные колебательные моды указанных гранатов.

PACS: 42.65.Dr, 42.70.Hj, 42.70.Mp

Поступила в редакцию: 01.10.1998