Эффективность заселения уровня 4I13/2 иона Er3+ и возможность генерации излучения с длиной волны 1.5 мкм в ИАГ:Yb, Er при высоких температурах

Показано, что при повышении температуры кристалла ИАГ:Yb, Er от комнатной до 400 – 600°С в несколько раз возрастает эффективность накопления энергии на уровне ⁴I_13/2 иона Er³⁺ при оптической накачке, идущей через ионы Yb³⁺. В этих условиях до 60% ионов эрбия могут быть переведены в возбужденное состояние, что позволяет надеяться на реализацию в ИАГ:Yb, Er лазерной генерации на длине волны 1.54 мкм по трехуровневой схеме.