RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 9, страницы 813–822 (Mi qe13640)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Активные среды. Лазеры

Cпектры, временная структура и угловая направленность генерации в кристалле Yb:YAG и в иттербиевом стекле при накачке низкокогерентным излучением лазера на центрах окраски LiF:F2+

Н. Е. Быковский, Ю. В. Сенатский

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: При фокусировке излучения лазера на центрах окраски LiF:F2+ (спектральный диапазон 0.89 — 0.95 мкм) на пластины из кристалла Yb:YAG с 20%-ной концентрацией активатора и иттербиевого стекла с 10%-ной концентрацией активатора наблюдались наносекундные импульсы излучения ионов Yb3+ в спектральной области 1.0 — 1.06 мкм с шириной спектра до 20 нм в Yb:YAG и до 50 нм в иттербиевом стекле. Генерация возникала в активной среде в области возбуждения ВРМБ излучения накачки диаметром менее 200 мкм. Угловая расходимость широкополосного лазерного излучения (10-3 — 10-4 рад) была на 1 — 2 порядка меньше дифракционного предела. Обсуждается механизм возникновения коротких импульсов остронаправленной широкополосной генерации в пространственной структуре тонких слоев с инверсией, возникающей в области распространения интенсивных акустических волн в среде. Интерпретация экспериментальных данных по угловой расходимости излучения основывается на новом представлении распределения электромагнитного поля фотона в пространстве не в форме бегущей волны, а с фиксированным по направлению распространения расположением структур поля. Рассматриваются особенности временной картины и спектров узкополосной линейчатой генерации в кристалле Yb:YAG и в иттербиевом стекле в резонаторе при релаксации области возбуждения ВРМБ в активной среде. Обсуждается возможность диагностики параметров среды по сдвигу спектров генерации на модах резонатора в различных участках области возбуждения ВРМБ.

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 23.05.2007
Исправленный вариант: 29.10.2007


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2008, 38:9, 813–822

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024