RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 3, страницы 227–232 (Mi qe13699)

Эта публикация цитируется в 29 статьях

Активные среды

Теплопроводность лазерных кристаллов ванадатов

А. И. Загуменныйa, П. А. Поповb, Ф. Зерроукc, Ю. Д. Заварцевa, С. А. Кутовойa, И. А. Щербаковa

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Брянский государственный университет
c Zecotek Medical Systems Ltd., Singapore

Аннотация: Представлены результаты измерения теплопроводности в интервале температур 50 – 350 $K$ для лазерных кристаллов ванадатов на основе матриц $GdVO_4$, $YVO_4$ и их твердых растворов. Смешанные редкоземельные ванадаты имеют общую химическую формулу $Re'_{1-x}Re''_x VO_4$, где $Re'$, $Re''$ – два или более видов ионов из ряда $La^{3+}$, $Pr^{3+}$, $Nd^{3+}$, $Sm^{3+}$, $Eu^{3+}$, $Gd^{3+}$, $Tb^{3+}$, $Dy^{3+}$, $Ho^{3+}$, $Er^{3+}$, $Tm^{3+}$, $Yb^{3+}$, $Lu^{3+}$, $Sc^{3+}$, $Y^{3+}$. Измеренная при комнатной температуре теплопроводность $YVO_4$:$Nd$ оказалась в два с лишним раза выше значений, приведенных в научной литературе и в паспортных характеристиках лазерных элементов из $YVO_4$:$Nd$, производящихся в многочисленных коммерческих компаниях. Получены эмпирические зависимости теплопроводности вдоль кристаллографических осей $\langle100\rangle$ и $\langle001\rangle$ в интервале температур 200 – 350 $K$ от состава кристаллов редкоземельных ванадатов $Re'_{1-x}Re''_x VO_4$.

PACS: 42.70.Hj, 66.70.-f

Поступила в редакцию: 17.07.2007
Исправленный вариант: 28.09.2007


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2008, 38:3, 227–232

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024