Генерация лазерного излучения в монокристаллах селенида цинка под действием субнаносекундных импульсов высокого напряжения

Исследовано воздействие субнаносекундных импульсов высокого напряжения (U = 50 — 200 кВ, t_p = 100 — 500 пс) на плоскопараллельные пластины ZnSe толщиной 1 — 2 мм. Эксперименты проводились на воздухе при атмосферном давлении и комнатной температуре. Образец помещался между катодным электродом и кольцевым анодом. Разряд распространялся в направлении силовых линий электрического поля. На фронте разряда и напротив катодного электрода возникала генерация лазерного излучения (λ = 480 нм). Средняя скорость распространения разряда достигала 5 × 10⁸ см·с^-1, импульсная мощность была равна 600 Вт, расходимость излучения не превышала 2 — 3°. Развития стримерных разрядов, ориентированных вдоль кристаллографических направлений, в данном случае не наблюдалось.