Использование метода трехуровневой лазерной спектроскопии для исследования сверхтонкой структуры эмиссионных линий молекулы I2

Предлагается использовать узкие оптические резонансы, соответствующие компонентам сверхтонкой структуры эмиссионных переходов I₂, в качестве частотных реперов для стабилизации частоты лазерного излучения в диапазоне 0.8 — 1.3 мкм. Для получения таких резонансов и исследования сверхтонкой структуры эмиссионных переходов создана экспериментальная установка, представляющая собой комбинацию двух лазерных спектрометров: спектрометра насыщенного поглощения и трехуровневого спектрометра. В качестве возбуждающего излучения в установке используется вторая гармоника излучения непрерывного Nd:YAG-лазера, а зондирующее излучение в диапазоне 968 — 998 нм генерируется диодным лазером с внешним резонатором. Пучки излучения обоих лазеров пространственно совмещаются в ячейке с парами иода, при этом для возбуждающего излучения в ячейке создается режим двух встречных волн. Продемонстрировано, что при фазовой модуляции возбуждающего излучения в центре доплеровской линии на обоих переходах — поглощающем и эмиссионном — возникают узкие резонансы, имеющие вид дисперсионной зависимости. Эти резонансы могут использоваться в качестве реперов для стабилизации частоты лазерного излучения. Представлены результаты исследования сверхтонкой структуры эмиссионной линии на переходе (J ' = 57, v ' = 32) → (J '' = 58, v '' = 48) при возбуждении на переходе (J '' = 56, v '' = 0) → (J ' = 57, v ' = 32).