Е. В. Андреева, Н. А. Волков, Ю. О. Костин, П. И. Лапин, А. А. Мармалюк, Д. Р. Сабитов, С. Д. Якубович, “Широкополосные суперлюминесцентные диоды ближнего ИК диапазона спектра на основе двуслойных квантоворазмерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 38:8 (2008), 744

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры, активные среды лазеров

Широкополосные суперлюминесцентные диоды ближнего ИК диапазона спектра на основе двуслойных квантоворазмерных гетероструктур

Е. В. Андреева^a, Н. А. Волков^a, Ю. О. Костин^a, П. И. Лапин^a, А. А. Мармалюк^b, Д. Р. Сабитов^b, С. Д. Якубович^c

^a ООО "Суперлюминесцентные диоды", г. Москва
^b «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
^c Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)

Аннотация: Экспериментально исследованы суперлюминесцентные диоды (СЛД) со спектром излучения в полосе 800 — 900 нм, созданные на основе двуслойных квантоворазмерных гетероструктур (КРС) в системе (AlGa)As/GaAs. Показано, что эти СЛД позволяют получить достаточно высокую мощность выходного излучения с шириной спектра более 55 нм при значительно меньших длинах активного канала, чем у СЛД на основе аналогичных однослойных КРС. Несмотря на повышенную плотность рабочего тока инжекции, срок службы исследованных СЛД превышает 10000 ч.

PACS: 42.55.Px, 85.60.Jb, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 03.12.2007