RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 10, страницы 940–944 (Mi qe13777)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество

Влияние вынужденного излучения на распределение молекул СО по колебательным уровням

Г. М. Григорьянa, И. В. Кочетовb

a Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета
b ФГУП «ГНЦ РФ — Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований»

Аннотация: Измерена колебательная функция распределения (КФР) молекул СО при наличии и в отсутствие генерации в СО-лазере, возбуждаемом продольным разрядом постоянного тока. В теоретической модели совместно решались кинетические уравнения для КФР и уравнение Больцмана для функции распределения электронов по энергиям. Сопоставление экспериментальных и расчетных спектров генерации и КФР продемонстрировало их хорошее согласие. Путем введения в резонатор поглощающей ячейки с различными газами (NO, C2H4, СО2, С6H6) исследовано влияние селекции линий генерации на спектр генерации и КФР молекул СО. Экспериментально подтверждено сильное уменьшение населенностей молекул СО на колебательных уровнях, вовлеченных в генерацию, и на более высоких, а также незначительное изменение КФР на более низких уровнях. Показана возможность изменения формы КФР молекул СО в области высоких колебательных уровней путем введения внутрирезонаторного поглощения.

PACS: 42.55.Lt, 33.20.Tp, 33.80.-b

Поступила в редакцию: 04.12.2007
Исправленный вариант: 02.04.2008


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2008, 38:10, 940–944

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024