RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 9, страницы 829–832 (Mi qe13814)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Активные среды. Лазеры

Излучение пластин селенида цинка при возбуждении импульсным электрическим полем

К. В. Бережнойa, А. С. Насибовa, П. В. Шапкинa, В. Г. Шпакb, С. А. Шунайловb, М. И. Яландинb

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Институт электрофизики УрО РАН, г. Екатеринбург

Аннотация: Определена зависимость мощности излучения пластин селенида цинка, помещенных в воздушный зазор между электродами, от амплитуды подаваемых высоковольтных субнаносекундных импульсов и величины зазора. Приведены спектры лазерного излучения образцов при возбуждении их электронным пучком и электрическим полем. Показано влияние формы электродов на картину излучения. Наблюдалось увеличение длительности лазерного импульса по сравнению с длительностью возбуждающего высоковольтного импульса. Высказано предположение о том, что наиболее вероятной причиной этого являются процессы рекомбинационного излучения, протекающие в плотной электронно-дырочной плазме.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 05.02.2008
Исправленный вариант: 22.05.2008


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2008, 38:9, 829–832

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024