RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 12, страницы 1171–1178 (Mi qe13822)

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Измерение оптического поглощения пластин поликристаллического CVD-алмаза фазовым фототермическим методом на длине волны 10.6 мкм

А. Ю. Лукьяновa, В. Г. Ральченкоb, А. В. Хомичc, Е. В. Сердцевa, П. В. Волковa, А. В. Савельевb, В. И. Коновb

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
c Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Фрязино

Аннотация: Разработана высокочувствительная фототермическая методика для количественных измерений малого коэффициента оптического поглощения в тонких пластинах из высокопрозрачных материалов, объемные потери в которых существенно превышают поверхностные. На длине волны λ = 10.6 мкм измерен коэффициент объемного поглощения пластин поликристаллического алмаза, выращенных из газовой фазы (CVD-алмаза). Результаты сопоставлены с данными для природных и синтетических монокристаллов алмаза, а также с концентрацией примесей азота и водорода. Коэффициент поглощения лучших образцов CVD-алмаза не превышал 0.06 см-1. Это, учитывая высокую теплопроводность CVD-алмаза (1800 – 2200 Вт/мК при комнатной температуре), позволяет рассматривать его в качестве перспективного материала для выходных окон мощных СО2-лазеров, особенно при изготовлении крупногабаритной оптики.

PACS: 81.05.Uw, 81.70.Fy, 78.20.Nv, 78.20.Ci, 42.70.Hi, 42.25.Bs

Поступила в редакцию: 07.02.2008
Исправленный вариант: 04.04.2008


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2008, 38:12, 1171–1178

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024