Полупроводниковые оптические усилители для спектрального диапазона 1000—1100 нм

Исследованы два типа полупроводниковых оптических усилителей (ПОУ) на основе двухслойной квантоворазмерной гетероструктуры в системе (InGa)As/(GaAl)As/GaAs. В ПОУ-модулях с входными и выходными одномодовыми волоконными световодами на длине волны 1060 нм достигнут коэффициент оптического усиления более 30 дБ и уровень насыщения выходной мощности более 30 мВт. При использовании этих ПОУ в качестве активных элементов перестраиваемого лазера осуществлена скоростная непрерывная спектральная перестройка до 85 нм при выходной мощности 0.5 мВт и до 45 нм при мощности более 30 мВт.