RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 12, страницы 1059–1061 (Mi qe1383)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Письма в редакцию

Сегнетоэлектрик SxBa1–x(NbO3)2:Nd3+ — новый нелинейно-лазерный кристалл: непрерывное одномикронное стимулированное излучение (4F3/2 → 4I11/2) и диффузное самоумножение частоты генерации

А. А. Каминскийa, Х. Гарсиа-Золеb, С. Н. Багаевc, Д. Хакеb, Х. Капманиb

a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
b Autonomous University of Madrid, Spain
c Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Впервые возбуждена генерация стимулированного излучения на межштарковском переходе одномикронного канала 4F3/2 → 4I11/2 ионов Nd3+ в ацентричном разупорядоченном кристалле SrxBa1–x(NbO3)2 (x ≈ 0.6). Его низкопороговое лазерное излучение с длиной волны 1.0626 мкм сопровождалось диффузной внутрирезонаторной генерацией второй гармоники.

PACS: 42.55.Rz, 42.65.Ky, 42.70.Hj, 42.70.Mp

Поступила в редакцию: 05.11.1998


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1998, 28:12, 1031–1033

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024