Аннотация:
Исследован джиттер импульсов генерации лазеров на кристаллах Y3Al5O12:Nd3+ (YAG:Nd) и Ca3Ga2Ge3O12:Nd3+ (CGGG:Nd) с диодной накачкой при пассивной модуляции добротности резонатора. Обнаружено, что джиттер j зависит от частоты f следования импульсов генерации как j = A/fγ. Показано, что предельная нижняя частота fL генерации импульсов лазером определяется параметрами A и γ джиттера и равна A1/(γ-1). Для Nd:YAG-лазера fL составило 14 Гц, а для Nd:CGGG-лазера — 5 Гц.