Е. Н. Донской, Е. В. Жданова, А. Н. Залялов, М. М. Зверев, С. В. Иванов, Д. В. Перегудов, О. Н. Петрушин, Ю. А. Савельев, И. В. Седова, С. В. Сорокин, М. Д. Тарасов, Ю. С. Шигаев, “Распределение плотности возбуждения в полупроводниковых лазерах на основе ZnSe с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 38:12 (2008), 1097

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Активные среды

Распределение плотности возбуждения в полупроводниковых лазерах на основе ZnSe с накачкой электронным пучком

Е. Н. Донской^a, Е. В. Жданова^b, А. Н. Залялов^a, М. М. Зверев^b, С. В. Иванов^c, Д. В. Перегудов^b, О. Н. Петрушин^a, Ю. А. Савельев^a, И. В. Седова^c, С. В. Сорокин^c, М. Д. Тарасов^a, Ю. С. Шигаев^a

^a ФГУП «Российский федеральный ядерный центр — ВНИИЭФ», г. Саров, Нижегородская обл.
^b Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом Монте-Карло раcсчитано пространственное распределение плотности поглощенной энергии в полупроводниковых лазерах на основе ZnSe при возбуждении электронами с энергией от 2 кэВ до 1 МэВ. Приведены приближенные аналитические выражения для определения поглощенной энергии электронов в ZnSe. Экспериментально определен порог по мощности накачки в полупроводниковой квантоворазмерной структуре на основе ZnSe. Дана оценка порога генерации в подобных структурах в зависимости от энергии электронов.

PACS: 42.55.Px, 41.75.Fr

Поступила в редакцию: 05.03.2008
Исправленный вариант: 12.08.2008