М. И. Беловолов, С. И. Державин, А. Ф. Шаталов, “Импульсная генерация лазера на кристалле кальций-галлий-германиевого граната Ca3Ga2Ge3O12:Nd3+ с диодной накачкой при пассивной модуляции добротности резонатора”, Квантовая электроника, 38:10 (2008), 923

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Импульсная генерация лазера на кристалле кальций-галлий-германиевого граната Ca₃Ga₂Ge₃O₁₂:Nd³⁺ с диодной накачкой при пассивной модуляции добротности резонатора

М. И. Беловолов^a, С. И. Державин^b, А. Ф. Шаталов^a

^a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
^b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Исследована импульсная генерация твердотельного неодимового лазера на кристалле кальций-галлий-германиевого граната Ca₃Ga₂Ge₃O₁₂:Nd³⁺ (CGGG:Nd) с диодной накачкой при пассивной модуляции добротности резонатора. При поглощенной мощности накачки 0.8 Вт энергия импульса генерации равнялась 3.5 мкДж, а его временные параметры — время нарастания, длительность и время спада — составляли соответственно 6, 11 и 13 нс. Частота следования импульсов изменялась в интервале 3 — 13 кГц при изменении поглощенной мощности накачки от 0.45 до 1 Вт. Показано, что с увеличением поглощенной мощности накачки все временные параметры генерируемого импульса уменьшаются. Измерены коэффициенты чувствительности этих параметров и частоты следования импульсов генерации к изменениям поглощенной мощности накачки и длины резонатора лазера. Проведено сравнение результатов исследования с соответствующими результатами для импульсного YAG:Nd-лазера, работающего в аналогичных условиях.

PACS: 42.55.Rz, 45.55.Xi, 42.60.Gd

Поступила в редакцию: 25.03.2008