Получение широкого спектра волноводного усиления в асимметричных многослойных квантоворазмерных гетероструктурах на основе Ga0.47In0.53As/Ga0.18In0.82As0.4P0.6

В рамках четырехзонного kp-метода проведен детальный теоретический анализ спектров волноводного усиления асимметричных многослойных квантоворазмерных гетероструктур на основе соединений Ga_0.47In_0.53As/Ga_0.18In_0.82As_0.4P_0.6. Предложена эффективная процедура получения широкого и практически плоского спектра усиления. Рассчитаны конструкции полупроводниковых излучателей с различными наборами неоднородно возбужденных квантовых ям, дающих широкий спектр волноводного усиления в диапазонах 1.28 — 1.525 и 1.36 — 1.6 мкм.