А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, А. П. Некрасов, В. В. Поповичев, “Оптимизация волноводных параметров лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с целью наибольшего увеличения ширины пучка в резонаторе и получения максимальной лазерной мощности”, Квантовая электроника, 38:10 (2008), 935

Эта публикация цитируется в 18 статьях

Управление параметрами лазерного излучения

Оптимизация волноводных параметров лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с целью наибольшего увеличения ширины пучка в резонаторе и получения максимальной лазерной мощности

А. П. Богатов^a, Т. И. Гущик^a, А. Е. Дракин^a, А. П. Некрасов^b, В. В. Поповичев^b

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

Аннотация: Проведена оптимизация конструкции волновода лазерной гетероструктуры для расширения в вертикальном направлении пучка излучения на выходном зеркале лазерного диода (до 1.5 мкм по половине интенсивности для нулевой моды). Экспериментальные образцы таких диодов работали в непрерывном поперечно-одномодовом режиме генерации до мощности излучения 0.5 Вт. Расходимость излучения в вертикальном направлении составила 118 — 128 и в горизонтальном — 4° — 7°.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 28.05.2008