А. А. Андронов, Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, А. Н. Яблонский, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, “Переключение длины волны стимулированного излучения в лазерных гетероструктурах InGaAs/AlGaInAs при оптической накачке”, Квантовая электроника, 39:3 (2009), 247

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Управление параметрами лазерного излучения

Переключение длины волны стимулированного излучения в лазерных гетероструктурах InGaAs/AlGaInAs при оптической накачке

А. А. Андронов^a, Ю. Н. Ноздрин^a, А. В. Окомельков^a, А. Н. Яблонский^a, А. А. Мармалюк^b, Ю. Л. Рябоштан^b

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b ООО "Сигм Плюс", г. Москва

Аннотация: В ближнем ИК диапазоне получено стимулированное излучение гетероструктур InGaAs/AlGaInAs при оптической накачке. Обнаружено переключение длины волны стимулированного излучения от 1.9 мкм до 1.55 мкм и затем до 1.2 мкм при увеличении интенсивности оптической накачки. Возникновение переключения связано с конкретной геометрией структуры (профилем ширины запрещенной зоны по толщине) и конкуренцией стимулированных излучений на разных частотах в разных пространственных областях структуры.

PACS: 42.55.Px, 78.45.+h, 78.55.Et

Поступила в редакцию: 29.04.2008
Исправленный вариант: 10.11.2008