RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2009, том 39, номер 4, страницы 309–312 (Mi qe13912)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Лазеры

Эффективный лазер на пластине из Nd:YVO4 с боковой диодной накачкой в различных режимах генерации

А. П. Зиновьев, О. Л. Антипов, А. А. Новиков

Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Экспериментально исследован лазер на кристалле Nd:YVO4 с боковой диодной накачкой и скользящим падением лазерного пучка на грань кристалла, через которую осуществляется накачка. При непрерывной накачке реализована лазерная генерация в различных режимах: непрерывном, пассивной и активной модуляции добротности, пассивной синхронизации мод. Оптимизированы параметры резонатора для достижения максимальной мощности (~17 Вт в непрерывном режиме) в пучке высокого качества (M 2 ≈ 1.3).

PACS: 42.55.Xi, 42.55.Rz, 42.60.Jf, 42.60.Da

Поступила в редакцию: 03.06.2008
Исправленный вариант: 02.10.2008


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2009, 39:4, 309–312

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024