RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2009, том 39, номер 2, страницы 163–170 (Mi qe13926)

Нелинейно-оптические явления

Влияние эффектов фазовой памяти при столкновениях на спектр резонансного комбинационного рассеяния

А. И. Пархоменко, А. М. Шалагин

Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Теоретически исследовано влияние эффектов фазовой памяти при столкновениях на спектр резонансного комбинационного рассеяния излучения трехуровневыми атомами с Λ-конфигурацией уровней, находящимися в поле сильного монохроматического излучения и испытывающими столкновения с атомами буферного газа. Анализ проведен для систем с малым по сравнению с частотой столкновений доплеровским уширением (большие давления буферного газа) в общем случае произвольного изменения (от полного сбоя до полного сохранения) фазовой памяти на любом из трех переходов в Λ-системе. Показано, что в отсутствие столкновительной релаксации низкочастотной когерентности на переходе между двумя нижними уровнями Λ-системы в спектре рассеянного излучения имеется спектрально узкая компонента на комбинационной частоте, которая, несмотря на однородный характер уширения линии поглощения, обладает ярко выраженной анизотропией. В направлении, близком к направлению распространения возбуждающего излучения, эта линия максимально сужается. Характерно, что в условиях оптической накачки на уровень, не затронутый сильным полем, спектр резонансного комбинационного рассеяния существенно отличается от спектра для работы пробного поля. Предложена простая формула для расчета степени сохранения фазовой памяти при столкновениях по относительной амплитуде резонанса комбинационного рассеяния.

PACS: 42.65.Dr, 42.50.Md

Поступила в редакцию: 10.06.2008


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2009, 39:2, 163–170

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024