Е. И. Давыдова, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом”, Квантовая электроника, 39:1 (2009), 18

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Лазеры

Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом

Е. И. Давыдова, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин

ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

Аннотация: Изучены излучательные характеристики одномодовых лазерных диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/AlGaAs, легированных углеродом и выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Полученные результаты показали, что сохранение на всех этапах изготовления активного элемента полупроводникового лазера заданного профиля легирования, обеспечивающего оптимизацию последовательного сопротивления и внутренних оптических потерь, приводит к повышению эффективности работы лазера. На основе исследованных лазерных гетероструктур созданы высокоэффективные лазерные диоды, работающие на одной поперечной моде, с длиной волны генерации 980 нм и максимальной мощностью 300 мВт.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 78.66.-w

Поступила в редакцию: 24.06.2008