RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2009, том 39, номер 5, страницы 410–414 (Mi qe13967)

Эта публикация цитируется в 20 статьях

Лазеры и усилители

Эффективная генерация на длине волны 1908 нм в лазере на кристалле Tm:YLF с диодной накачкой

Н. Г. Захаровa, О. Л. Антиповa, А. П. Савикинa, В. В. Шарковa, О. Н. Еремейкинa, Ю. Н. Фроловb, Г. М. Мищенкоb, С. Д. Великановb

a Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
b Институт лазерно-физических исследований, РФЯЦ — ВНИИЭФ, г. Саров

Аннотация: Исследованы характеристики генерации на длине волны 1908 нм в лазере на кристалле Tm:YLF с продольной диодной накачкой. Проведена оптимизация параметров лазера с целью получения максимальной мощности непрерывного излучения в пучке хорошего качества. Достигнута выходная мощность ~27 Вт при дифференциальной эффективности ~50% и полной эффективности преобразования оптической накачки ~41%.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.60.Jf, 42.60.Da

Поступила в редакцию: 15.09.2008
Исправленный вариант: 21.10.2008


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2009, 39:5, 410–414

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024