П. Г. Елисеев, А. Уханов, А. Штинц, К. Д. Маллой, “Электрические свойства лазерных InAs/InGaAs-гетероструктур на основе квантовых точек InAs: пороговый эффект”, Квантовая электроника, 39:6 (2009), 501

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазеры

Электрические свойства лазерных InAs/InGaAs-гетероструктур на основе квантовых точек InAs: пороговый эффект

П. Г. Елисеев, А. Уханов, А. Штинц, К. Д. Маллой

Centre for High-Technology Materials, University of New Mexico, USA

Аннотация: Представлены дифференциальные вольт-амперные характеристики лазеров на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми точками InAs в квантовой яме и без них. В обоих случаях на пороге генерации наблюдается спад дифференциального сопротивления, однако в лазере с квантовыми точками этот спад неполный, т.е. не происходит насыщения напряжения, приложенного к электрически нелинейной части диода. Рассмотрена модель последовательных барьеров, позволяющая качественно объяснить поведение вольт-амперных характеристик.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 15.10.2008
Исправленный вариант: 08.01.2009