RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2009, том 39, номер 10, страницы 967–972 (Mi qe14028)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Лазерно-инициируемые источники экстремального ультрафиолетового излучения для производства интегральных схем следующего поколения

В. М. Борисов, А. Ю. Виноходов, А. С. Иванов, Ю. Б. Кирюхин, В. А. Мищенко, А. В. Прокофьев, О. Б. Христофоров

ФГУП «ГНЦ РФ — Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований»

Аннотация: Актуальность развития мощных разрядных источников, излучающих в спектральном диапазоне 13.5 ± 0.135 нм, определяется их планируемым применением в промышленной EUV (Extreme Ultraviolet) литографии для изготовления интегральных схем по технологическим нормам 22 нм и менее. Исследованы характеристики EUV источников на основе инициируемого лазером разряда в парах олова между вращающимися дисковыми электродами. Выявлены закономерности процесса инициирования разряда лазерами с различными длинами волн излучения и определены параметры лазерного импульса, оптимальные для достижения максимальных энергетических характеристик EUV источника. Развитый подход к созданию EUV источника позволил достичь в стационарном режиме с частотой следования разрядных импульсов 3000 Гц средней мощности EUV излучения 276 Вт в спектральной полосе 13.5 ± 0.135 нм в пересчете на пространственный угол 2π ср.

PACS: 42.72.Bj, 52.80.Yr, 85.40.Hp

Поступила в редакцию: 17.12.2008
Исправленный вариант: 15.04.2009


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2009, 39:10, 967–972

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024