Аннотация:
Экспериментально показано, что в InGaAs/GaAs-гетероструктурах, работающих на вытекающей моде, может быть получена расходимость в вертикальной плоскости менее 1°. Численный расчет диаграммы направленности дал качественное и хорошее количественное согласие с экспериментом.