RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2009, том 39, номер 11, страницы 1033–1040 (Mi qe14107)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Активные среды

Тепловые режимы и предельные интенсивности накачки дискового лазера при одномерном распределении температуры внутри диска

А. Н. Алпатьев, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Получены аналитические выражения для одномерного распределения температуры и термоупругих напряжений в дисковом активном элементе (АЭ) при стационарной многопроходной накачке, интенсивность которой равна или превышает пороговую. Рассмотрены три события, связанные с нагреванием АЭ, каждое из которых выводит лазер из строя: падение эффективности вследствие изменения спектрально-люминесцентных свойств активных сред, нарушение нормального режима охлаждения АЭ, разрушение АЭ из-за роста термомеханических напряжений. Определены области параметров (таких как коэффициент поглощения АЭ, его толщина и т.д.), при которых по мере увеличения интенсивности накачки и соответственно температуры АЭ первым наступает одно из указанных выше событий. Получены формулы, позволяющие для каждого набора параметров дать оценку соответствующих предельных интенсивностей накачки.

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Da, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 17.03.2009
Исправленный вариант: 02.07.2009


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2009, 39:11, 1033–1040

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024