RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 1, страницы 11–18 (Mi qe14140)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Лазеры

Лазерные характеристики смесей Ar — Xe и He — Ar — Xe при накачке осколками деления

Ю. А. Дюжовa, О. Ф. Кухарчукa, Е. Д. Полетаевa, В. Н. Смольскийa, А. А. Суворовa, О. Г. Фокина

a Физико-энергетический институт им. А. И. Лейпунского, г. Обнинск Калужской обл.

Аннотация: Приведены результаты исследований лазерных характеристик смесей Ar — Xe и Не — Ar — Xe на переходах атома Xe с длинами волн 1.73 и 2.026 мкм при накачке осколками деления, выполненных на импульсном реакторе БАРС-6. Описаны экспериментальная установка и методики измерения параметров лазерного пучка и характеристик активной среды лазера с ядерной накачкой в режимах свободной генерации и задающий генератор — усилитель. В режиме свободной генерации исследована зависимость выходной энергии лазерного импульса от параметров резонатора, состава и давления рабочей смеси. Для получения лазерных характеристик активных смесей предложен метод модуляции входного сигнала однопроходного усилителя. Из анализа результатов экспериментов в режиме усилитель — генератор в рамках разработанной теории распространения лазерного излучения получены основные лазерные характеристики смесей Ar — Xe и Не — Ar — Xe (ненасыщенный коэффициент усиления, интенсивность насыщения, эффективность преобразования и др.) и проведено их сравнение с данными других работ.

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh, 28.41.-i

Поступила в редакцию: 13.04.2009
Исправленный вариант: 21.08.2009


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2010, 40:1, 11–18

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024