В. Э. Кисель, А. С. Ясюкевич, Н. В. Кондратюк, Н. В. Кулешов, “Высокочастотный Yb-микролазер с диодной накачкой и пассивной модуляцией добротности”, Квантовая электроника, 39:11 (2009), 1018

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Лазеры

Высокочастотный Yb-микролазер с диодной накачкой и пассивной модуляцией добротности

В. Э. Кисель, А. С. Ясюкевич, Н. В. Кондратюк, Н. В. Кулешов

НИИ оптических материалов и технологий, Белорусский национальный технический университет

Аннотация: Предложена модификация системы балансных уравнений для квазитрехуровневых лазеров, работающих в режиме пассивной модуляции добротности с медленным насыщающимся поглотителем. Проведены расчеты оптимальных параметров микрочип-лазера на YAG:Yb³⁺ с пассивным Cr⁴⁺:YAG-модулятором при частоте следования импульсов ~100 кГц. Экспериментально продемонстрирована генерация в микрочип-лазере на YAG:Yb — YAG:Cr на одной продольной моде резонатора с частотой следования импульсов более 100 кГц, средней выходной мощностью 0.45 Вт и пиковой мощностью 1.5 кВт. В многомодовом режиме генерации получены импульсы с пиковой мощностью 4.2 кВт при средней выходной мощности 0.8 Вт и частоте следования импульсов 100 кГц.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Sa, 42.55.Xi, 42.60.Da, 42.60.Gd

Поступила в редакцию: 12.05.2009