RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 1, страницы 59–63 (Mi qe14178)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Воздействие лазерного излучения на вещество

Особенности лазерного разрушения покрытий из диоксида титана

Л. А. Скворцов

Институт криптографии, связи и информатики, г. Москва

Аннотация: Предложена модель генерации дефектов, ответственных за лазерное разрушение тонкопленочных покрытий из диоксида титана в ближнем ИК диапазоне спектра при воздействии периодически следующих лазерных импульсов наносекундной длительности. Рассматриваемая модель основана на гипотезе о перезарядке двух дефектных точечных центров, характеризующихся различными сечениями фотоионизации, один из которых имеет адсорбционную природу. Модель удовлетворительно аппроксимирует наблюдаемые экспериментально кривую накопления и температурную зависимость порогов разрушения в низкотемпературной области, а также объясняет роль защитных слоев.

PACS: 42.62.Cf, 68.55.Ln

Поступила в редакцию: 24.06.2009
Исправленный вариант: 04.11.2009


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2010, 40:1, 59–63

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024