RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 1, страницы 35–39 (Mi qe14184)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Активные среды

Особенности тепловых режимов лазерных активных элементов в форме прямоугольной пластины при стационарной накачке

А. Н. Алпатьев, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Продолжено исследование совокупности явлений, связанных со сглаживанием температурного профиля в активном элементе в форме прямоугольной пластины и возрастанием порога ее разрушения под действием оптической накачки при изменении ее оптической плотности (эффект сглаживания термооптических неоднородностей — СТОН-эффект). Показано, что СТОН-эффект существует не только при увеличении, но и при уменьшении оптической плотности, если оно происходит за счет уменьшения толщины образца. Приведена расчетная зависимость максимального перепада температур внутри пластины от оптической плотности в момент термического разрушения пластины. Показано, что изменение оптической плотности вследствие изменения как коэффициента поглощения, так и геометрического размера пластины по-разному влияет на очередность наступления одного из двух нежелательных событий — разрушения пластины или закипания охлаждающей воды — по мере увеличения накачки. Рассчитанные соотношения образуют две зоны оптической плотности, различающиеся очередностью наступления этих событий. Оценены допустимые значения максимальных температур в каждой из зон.

PACS: 42.55.Rz, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 03.07.2009


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2010, 40:1, 35–39

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024