RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 5, страницы 437–440 (Mi qe14223)

Эта публикация цитируется в 41 статьях

Поверхностные волны

Нелинейные поверхностные волны на границе фоторефрактивного кристалла

Б. А. Усиевич, Д. Х. Нурлигареев, В. А. Сычугов, Л. И. Ивлева, П. А. Лыков, Н. В. Богодаев

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Исследовано возбуждение нелинейных поверхностных волн на границе раздела кристалла SBN-75 и воздуха. Кристалл SBN-75 характеризуется фоторефрактивной нелинейностью диффузионного типа, поверхностная волна возбуждается в его приповерхностном слое, а глубина ее проникновения в кристалл определяется нелинейными параметрами кристалла. Из-за большого коэффициента преломления SBN-75 глубина проникновения поверхностной волны в воздух мала, поэтому нелинейная поверхностная волна локализована в приповерхностном слое кристалла толщиной несколько микрометров. Зафиксировано осциллирующее распределение интенсивности поверхностной волны на выходном торце кристалла. Период осцилляций определяется углом падения возбуждающего пучка. Нелинейная волна возбуждается не только на границе кристалла и воздуха, но и в случае, если активная поверхность кристалла покрыта электродом, например слоем аквадага. Это обстоятельство открывает возможность исследования новых свойств поверхностной волны при приложении к кристаллу внешнего электрического поля.

PACS: 42.70.Nq, 73.20.Mf, 42.65.Wi

Поступила в редакцию: 30.09.2009
Исправленный вариант: 22.03.2010


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2010, 40:5, 437–440

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024