RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 3, страницы 198–201 (Mi qe14227)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Лазеры и лазерные среды

О механизме заселения 3p-уровней неона при накачке жестким ионизатором

М. У. Хасенов

ТОО "Фотоника", г. Алма-Ата

Аннотация: Исследовано влияние тушащих добавок на люминесцентные свойства смесей гелия и неона при накачке α-частицами, испускаемыми атомами 210Po. Сделан вывод о том, что заселение уровня неона 3p'[1/2]0 при возбуждении тяжелой заряженной частицей происходит не в процессе диссоциативной рекомбинации молекулярных ионов. Предполагается, что наиболее вероятным каналом заселения уровня 3p являются передача возбуждения атомам неона от метастабильных атомов гелия и прямое возбуждение неона ядерными частицами и вторичными электронами.

PACS: 32.50.+d, 32.80.-t, 23.60.+e

Поступила в редакцию: 19.10.2009
Исправленный вариант: 06.12.2010


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2011, 41:3, 198–201

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024