RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1999, том 26, номер 2, страницы 95–97 (Mi qe1423)

Эта публикация цитируется в 23 статьях

Письма в редакцию

Новые нелинейно-лазерные свойства сегнетоэлектрика Ba2NaNb5O15:Nd3+: непрерывное стимулированное излучение (4F3/2 → 4I11/2 и 4F3/2 → 4I13/2), коллинеарное и диффузное самоумножение и самосуммирование частоты генерации

А. А. Каминскийa, Д. Хакеb, С. Н. Багаевc, К. Уедаd, Х. Гарсиа-Золеb, Х. Капманиb

a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
b Universidad Autonoma de Madrid, Spain
c Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
d Institute for Laser Science, University of Electro-communications, Tokyo, Japan

Аннотация: Создан новый непрерывный лазер с самоумножением и с самосуммированием частоты одномикронной генерации (4F3/2 → 4I11/2) на основе ромбического кристалла Ba2NaNb5O15:Nd3+. Возбуждено непрерывное 1.3-микронное стимулированное излучение этого сегнетоэлектрика на межштарковском переходе канала 4F3/2 → 4I13/2.

PACS: 42.55.Rz, 42.65.Ky, 42.70.Hj, 42.70.Mp

Поступила в редакцию: 29.12.1998


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1999, 29:2, 95–97

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024