RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 7, страницы 579–582 (Mi qe14251)

Лазеры

Стимулированное излучение квантовых точек при оптической накачке

А. А. Андроновa, Ю. Н. Ноздринa, А. В. Окомельковa, А. П. Васильевb, А. Е. Жуковb, В. М. Устиновb

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Экспериментально исследовано стимулированное излучение массивов квантовых точек при оптической накачке, находящихся при комнатной температуре. Наблюдалось стимулированное излучение на межзонных переходах как с электронного уровня, соответствующего основному состоянию в квантовой яме (λ ≈ 1.31 мкм), так и с двух вышележащих возбужденных уровней (λ ≈ 1.21 и 1.12 мкм). С помощью засветки в форме полосы с изменяющейся длиной проведены измерения, на основе которых сделана оценка коэффициента усиления для этих переходов. Полученные коэффициенты усиления активной среды являются весьма большими и достигают 15 — 17 см-1 (для λ ≈ 1.31 мкм). Обсуждается методика измерения коэффициентов усиления активной среды в случае больших его значений (не менее 10 см-1). Обнаружено резкое подавление стимулированного излучения с возбужденных уровней при увеличении длины области засветки.

PACS: 78.45.+h, 78.55.Et, 78.66.Hf

Поступила в редакцию: 29.11.2009
Исправленный вариант: 12.05.2010


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2010, 40:7, 579–582

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024