Высокоэффективные быстродействующие МПМ-фотодетекторы

Разработаны принципы построения и технология изготовления высокоэффективных быстродействующих фотодетекторов на основе МПМ-наноструктур. Для эффективной локализации излучения в области сильного поля, а также для уменьшения потерь света при отражении от контактов диода использовалась наноразмерная встречно-штыревая дифракционная решетка и многослойное брэгговское зеркало. Измерения коэффициентов отражения и квантовой эффективности для многослойной структуры находятся в хорошем соответствии с теоретическими оценками. Получено рекордное значение квантовой эффективности (QE = 46 %) для сверхбыстродействующих МПМ-фотодетекторов. Детектор обладает высокой спектральной селективностью (Δλ_1/2 = 17 нм) на длине волны 800 нм. С учетом емкости диода и времени дрейфа фотогенерированных носителей быстродействие рассматриваемых детекторов составляет ~500 ГГц. Низкая плотность темнового тока в исследуемых структурах (j = 1 nА/мкм²) позволяет реализовать на их основе высокочувствительные быстродействующие селективные детекторы оптического излучения.