RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 2, страницы 95–97 (Mi qe14282)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Письма

Квантовый каскадный лазер (λ ~ 8 мкм), получаемый методом МОС-гидридной эпитаксии

И. И. Засавицкийa, Д. А. Пашкеевa, А. А. Мармалюкb, Ю. Л. Рябоштанb, Г. Т. Микаелянc

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
c Научно-производственное предприятие "Инжект", г. Саратов

Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии создан квантовый каскадный лазер (λ ~ 8 мкм). Использована схема вертикальных переходов в структуре из трех квантовых ям. Лазер работает в импульсном режиме при температурах до 250К. Пороговая плотность тока составляла около 3 кА/см2 при 77 К и возрастала до 6 кА/см2 при 250 К. Мощность излучения в импульсе (1 мкс) в многомодовом режиме равнялась 45 мВт при 77 К.

PACS: 42.55.Px, 78.67.De

Поступила в редакцию: 24.01.2010


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2010, 40:2, 95–97

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024