RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 9, страницы 804–810 (Mi qe14309)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Отжиг наведенного поглощения в кварцевых стеклах излучением ArF-лазера

П. Б. Сергеев, А. П. Сергеев

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: В кварцевых стеклах КС-4В, КУ-1 и Корнинг 7980 (ArF Grade) изучен отжиг излучением ArF-лазера индивидуальных полос наведенного электронным пучком поглощения (НП) в спектральном диапазоне 150 — 400 нм. Показано, что происходящая фототрансформация спектров НП в основном связана с существенным уменьшением амплитуд полос на λ = 183.5, 213 и 260 нм. Рассмотрена роль междоузельного кислорода, водорода и хлора при образовании и релаксации дефектов стекол.

PACS: 42.70.Ce, 42.79.Bh, 42.25.Bs, 61.80.Ba, 78.20.Ci

Поступила в редакцию: 11.03.2010
Исправленный вариант: 10.06.2010


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2010, 40:9, 804–810

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024