RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 6, страницы 484–489 (Mi qe14347)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Активные среды

Отлипательная неустойчивость объемного самостоятельного разряда в активных средах нецепных HF(DF)-лазеров

А. А. Белевцевa, С. Ю. Казанцевb, И. Г. Кононовb, К. Н. Фирсовb

a Институт теплофизики экстремальных состояний Объединенного института высоких температур РАН, г. Москва
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Рассмотрен процесс развития отлипательной неустойчивости в активных средах электроразрядных нецепных HF(DF)-лазеров вследствие отрыва электронов от отрицательных ионов электронным ударом. Путем нагрева газовых смесей на основе SF6 излучением импульсного CO2-лазера осуществлено инициирование этой неустойчивости в больших и пространственно отделенных от электродов объемах газа. Экспериментально исследован эффект самоорганизации объемного самостоятельного разряда при лазерном нагреве, приводящий к образованию квазипериодических плазменных структур в объеме разрядного промежутка. Изучена эволюция этих структур в зависимости от температуры газа и удельного вклада электрической энергии. Обсуждается возможная связь эффекта самоорганизации с исследуемой отлипательной неустойчивостью. Предложен механизм распространения одиночных плазменных каналов в рабочих средах HF(DF)-лазеров, обусловленный разрушением отрицательных ионов электронным ударом.

PACS: 42.55.Ks, 52.80.-s

Поступила в редакцию: 21.04.2010


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2010, 40:6, 484–489

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024