RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 8, страницы 720–726 (Mi qe14369)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Мощный источник света в экстремальном УФ диапазоне (13.5 нм)

В. М. Борисов, Г. Н. Борисова, А. Ю. Виноходов, С. В. Захаров, А. С. Иванов, Ю. Б. Кирюхин, В. А. Мищенко, А. В. Прокофьев, О. Б. Христофоров

ФГУП «ГНЦ РФ — Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований»

Аннотация: Приводятся характеристики разрядного источника излучения в спектральной полосе 13.5 ± 0.135 нм, предназначенного для использования в EUV (Extreme Ultra Violet) сканере. Излучение генерируется в разрядной плазме в парах олова, которая создается между вращающимися дисковыми электродами при инициировании разряда сфокусированным лазерным излучением. Достигнут вклад электрической мощности в плазму ~63 кВт при частоте следования импульсов до 7 кГц. Мощность EUV излучения в спектральной полосе 13.5 ± 0.135 нм составила около 1000 Вт в пересчете на угол 2π ср. Приводится сравнение результатов расчетного моделирования с экспериментом.

PACS: 42.72.Bj, 52.80.-s, 52.50.Jm

Поступила в редакцию: 26.05.2010


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2010, 40:8, 720–726

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024