RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 9, страницы 753–755 (Mi qe14399)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Письма

Показатель преломления монокристаллов моноизотонных 28Si, 29Si и 30Si в ближнем и среднем ИК-диапазоне

В. Г. Плотниченкоa, В. О. Назарьянцb, Е. Б. Крюковаc, В. В. Колташевa, В. О. Соколовa, А. В. Гусевd, В. А. Гавваd, М. Ф. Чурбановd, Е. М. Диановa

a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
b Тарусский филиал Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН
c Институт геохимии и аналитической химии им. В. И. Вернадского РАН, г. Москва
d Институт химии высокочистых веществ РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Получены монокристаллы кремния 28Si, 29Si и 30Si с содержанием основного изотопа более 99.9 ат.% и natSi с природным изотопным составом. Содержание примесей кислорода и углерода во всех кристаллах не превышает 5×1015 см-3, а примесей металлов — 10-3 - 10-6 ат.%. В диапазоне длин волн 1.05 — 25.5 мкм усовершенствованным методом интерференционной рефрактометрии впервые измерена спектральная зависимость показателя преломления (ПП), рассчитаны дисперсия и материальная дисперсия ПП для всех полученных монокристаллов.

PACS: 42.25.Gy, 32.10.Bi, 78.20.Ci

Поступила в редакцию: 14.07.2010


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2010, 40:9, 753–755

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024