RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 7, страницы 633–639 (Mi qe144)

Эта публикация цитируется в 33 статьях

Лазеры и мазеры

Волноводные свойства гетеролазеров на основе квантово-размерных напряженных структур в системе InGaAs/GaAs и особенности их спектра усиления

Э. В. Аржанов, А. П. Богатов, В. П. Коняев, О. М. Никитина, В. И. Швейкин

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва

Аннотация: В результате экспериментальных исследований обнаружены аномалии в ватт-амперных характеристиках и модуляция спектра усиления, а также особенности картины излучения в дальнем поле гетеролазеров на основе квантово-размерных напряженных структур в системе InGaAs/GaAs. Теоретически показано, что излучательные характеристики таких лазеров определяются их волноводными свойствами, зависящими от толщины и состава эмиттерных слоев, и обусловлены "вытеканием" поля из волновода.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.79.Gn

Поступила в редакцию: 22.11.1993


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1994, 24:7, 581–587

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024