Аннотация:
В результате экспериментальных исследований обнаружены аномалии в ватт-амперных характеристиках и модуляция спектра усиления, а также особенности картины излучения в дальнем поле гетеролазеров на основе квантово-размерных напряженных структур в системе InGaAs/GaAs. Теоретически показано, что излучательные характеристики таких лазеров определяются их волноводными свойствами, зависящими от толщины и состава эмиттерных слоев, и обусловлены "вытеканием" поля из волновода.