Электролюминесценция полупроводниковых гетероструктур на основе оксида цинка

Методом лазерно-плазменного осаждения были выращены светоизлучающие диоды на основе гетероструктур n-ZnO/p-GaN, n-ZnO/i-ZnO/p-GaN и n-ZnO/n-Mg_0.2Zn_0.8O/i-Cd_0.2Zn_0.8O/p-GaN с максимумами интенсивности излучения на длинах волн 495, 382 и 465 нм и минимальными значениями плотности тока 1.35, 2 и 0.48 А/см² соответственно, при которых регистрировалась электролюминесценция. Вследствие пространственного ограничения для носителей заряда интенсивность электролюминесценции светодиода на основе двойной гетероструктуры n-ZnO/n-Mg_0.2Zn_0.8O/i-Cd_0.2Zn_0.8O/p-GaN выше, а порог электролюминесценции ниже, чем у светодиодов на основе n-ZnO/p-GaN и n-ZnO/i-ZnO/p-GaN.