Аннотация:
Представлен теоретический анализ процессов, происходящих в прозрачных кристаллах и стеклах при воздействии ультракоротких импульсов лазерного излучения в режимах, обычно используемых для различных приложений в оптоэлектронике и фотонике. Рассмотрен ряд явлений, описанных ранее авторами в рамках разработанных ими модельных представлений: зарядка поверхности диэлектриков вследствие фотоэмиссии электронов с последствиями в виде кулоновского взрыва; шейпинг кратеров при использовании адаптивного управления формой лазерного импульса; оптимизация записи волноводных структур в материале, тяжело поддающемся лазерно-индуцированному уплотнению при обычных условиях облучения. Разработанные модели и анализ процессов на их основе включают в себя элементы физики твердого тела, оптики, физики плазмы, термодинамики, теории упругости и пластичности. Обобщены некоторые важные экспериментальные наблюдения, требующие объяснения и адекватного описания.