Фоторефрактивная решетка вблизи границы кубического кристалла с приложенным электрическим полем

В приближении заданного распределения фотовозбужденных электронов в зоне проводимости рассмотрена структура фоторефрактивной решетки вблизи границы кубического кристалла с приложенным внешним постоянным электрическим полем. В рамках данного приближения проведен анализ структур поля пространственного заряда, упругих полей и возмущений тензора диэлектрической проницаемости $\Delta \hat{\epsilon}$ в приповерхностной области кристалла. Показано, что при ориентации вектора решетки вдоль оси [001] кристалла в приграничной области существуют упругие смещения и диагональные элементы тензора $\Delta \hat{\epsilon}$, отсутствующие в объеме образца. Относительные aмплитуды упругих деформаций и возмущений диэлектрической проницаемости пропорциональны приложенному полю $E_0$ и в кристалле Bi$_{12}$SiO$_{20}$ могут достигать $\sim$10$^{-6}$ и 10$^{-5}$ соответственно при $E_0$ = 10 кВ/см.